SI1902DL-T1-E3中文资料
SI1902DL-T1-E3图片
- 大小：100.3KB
- 厂家：Vishay
- 描述： MOSFET, DUAL, N, 6-SC-70; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):385mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation Pd:200mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:660mA; Package / Case:SC-70; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:1.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：660mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：385 毫欧 @ 660ma，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：270mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SC-70-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DL-T1-E3供应商
更新时间:2023-01-09 04:57:53- 供应商
- 产品型号
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- 说明
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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终端可以免费供样，支持BOM配单
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SI1902DL-T1-E3
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SC706/23+
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公司现货只做原装
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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SI1902DL-T1-E3
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只做原装 特价清仓 一手货源 代理渠道 胡经理
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SI1902DL-T1-E3
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原装，配单能手
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SI1902DL-T1-E3
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一站配齐 原盒原包现货 朱S Q2355605126